内存卡 DDR1,DDR2,DDR3,DDR4都有什么区别,什么意思
内存卡DDR1，DDR2，DDR3，DDR4区别为：功能不同、传输速率不同、电压频率不同。
一、功能不同
1、DDR1：DDR1在单一周期内可读取或写入2次。
2、DDR2：DDR2新增了Bank Group数据组的设计，各个Bank Group具备独立启动操作读、写等动作特性。
3、DDR3：DDR3新增ASR（Automatic Self－Refresh）、SRT（Self－Refresh Temperature）等两种功能，让内存在休眠时也能够随着温度变化去控制对内存颗粒的充电频率，以确保系统数据的完整性。
4、DDR4：DDR4增加了DBI（Data Bus Inversion）、CRC（Cyclic Redundancy Check）、CA parity等功能，让DDR4内存在更快速与更省电的同时亦能够增强信号的完整性、改善数据传输及储存的可靠性。
二、传输速率不同
1、DDR1：DDR1的传输速率介于266～400MT／s之间。
2、DDR2：DDR2的传输速率介于533～800MT／s之间。
3、DDR3：DDR3的传输速率介于1066～1600MT／s之间。
4、DDR4：DDR4的传输速率介于2133～3200MT／s之间。
三、电压频率不同
1、DDR1：DDR1使用的电压是2．5V，频率有200、266、333、400四种。
2、DDR2：DDR2使用的电压是1．8V，频率有533，667，800三种。
3、DDR3：DDR3使用的电压是1．5V。频率有1066、1333、1600、2133四种。
4、DDR4：DDR4使用的电压是1．2V。频率有3000、2666、3200、2400、2933五种。
扩展资料：
内存条区分方法：
1、DDR1，也就是一代内存条。这种内存条的内存颗粒足足有二代三代的两倍，一看就知道是落后工艺，旧时代的产品。配有一代内存的电脑，cpu是单核的，配着IDE接口的硬盘，看视频无法流畅观看。
频率为400MHZ,容量只有512M，也就是0.5G。频率才是关键。一代内存条的频率有333MHZ和400MHZ，所以标签上的400就足以证明它是一代内存条。容量不是关键，一代内存条有1G容量的，三代内存条也有1G容量的。
2、二代内存条有533,667,800三种频率。它们都属于二代内存条，外观，接口都是一样的，相互兼容，可以共用。只不过高频率的内存条要迁就低频率的内存条。假如一台电脑上同时插有800MHZ和533MHZ的两条内存条，那电脑就只能工作在533MHZ频率下，性能上会有点折损。
3、三代内存条的频率一般有1066，1333,1600,2133,用得比较多的是1333，1600。是市场比较流行的。
4、上面的较长内存条是台式机电脑用的。笔记本内存条为了适应笔记本的大小，做成短的。主要辨别方法也是看标签。
5、笔记本的内存条相信是比较容易区分一二三代的。只需看PC这个字样就OK了。PC代表一代，PC2代表二代，PC3代表三代。ddr400后面的频率是200MHZ，因为DDR是双倍速率的，实际速率还是400MHZ.
DDR和DDR2,DDR3,区别在那里
DDR：
DDR采用一个周期来回传递一次数据，因此传输在同时间加倍，因此就像工作在两倍的工作频率一样。为了直观，以等效的方式命名，因此命名为DDR 200 266 333 400。
DDR2：
DDR2尽管工作频率没有变化，数据传输位宽由DDR的2bit变为4bit，那么同时间传递数据是DDR的两倍，因此也用等效频率命名，分别为DDR2 400 533 667 800。
DDR3：
DDR3内存也没有增加工作频率，继续提升数据传输位宽变为8bit，为DDR2两倍，因此也在同样工作频率下达到更高带宽，因此用等效方式命名DDR3 800 1066 1333 1600。
所以可以看到，如DDR 400 DDR2 800 DDR3 1600内存工作频率没有区别，只是由于传输数据位宽倍增，导致带宽的增加。
而内存的真正工作频率决定于延迟，DDR400与DDR2 800真实工作频率相同，后者带宽是前者一倍，延迟上一样。如果是DDR400与DDR2 667，那后者虽然带宽更大，不过其真实频率反而低一些，延迟上略大。
DDR2与DDR的区别：
1、速率与预取量
DDR2的实际工作频率是DDR的两倍，DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4bit预期能力。
2、封装与电压
DDR封装为TSOPII，DDR2封装为FBGA；
DDR的标准电压为2.5V，DDR2的标准电压为1.8V。
3、bit pre-fetch
DDR为2bit pre-fetch，DDR2为4bit pre-fetch。
4、新技术的引进
DDR2引入了OCD、ODT和POST
（1）ODT：ODT是内建核心的终结电阻，它的功能是让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终结电阻处消耗完，防止这些信号在电路上形成反射；
（2）Post CAS：它是为了提高DDR2内存的利用效率而设定的；
在没有前置CAS功能时，对其他L-Bank的寻址操作可能会因当前行的CAS命令占用地址线而延后，并使数据I/O总线出现空闲，当使用前置CAS后，消除了命令冲突并使数据I/O总线的利率提高。
（3）OCD（Off-Chip Driver）：离线驱动调整，DDR2通过OCD可以提高信号的完整性 OCD的作用在于调整DQS与DQ之间的同步，以确保信号的完整与可靠性，OCD的主要用意在于调整I/O接口端的电压，来补偿上拉与下拉电阻值，目的是让DQS与DQ数据信号间的偏差降低到最小。
调校期间，分别测试DQS高电平和DQ高电平，与DQS低电平和DQ高电平时的同步情况，如果不满足要求，则通过设定突发长度的地址线来传送上拉/下拉电阻等级，直到测试合格才退出OCD操作。
DDR3与DDR2的区别：
1、DDR2为1.8V，DDR3为1.5V；
2、DDR3采用CSP和FBGA封装，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格；
3、逻辑Bank数量，DDR2有4Bank和8Bank，而DDR3的起始Bank8个；
4、突发长度，由于DDR3的预期为8bit,所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定位8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的；
DDR3为此增加了一个4-bitBurst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A112位地址线来控制这一突发模式；
5、寻址时序（Timing），DDR2的AL为0~4，DDR3为0、CL-1和CL-2，另外DDR3还增加了一个时序参数——写入延迟（CWD）；
6、bit pre-fetch：DDR2为4bit pre-fetch,DDR3为8bit pre-fetch；
7、新增功能，ZQ是一个新增的引脚，在这个引脚上接有240欧姆的低公差参考电阻，新增裸露SRT（Self-Reflash Temperature）可编程化温度控制存储器时钟频率功能。
新增PASR（PartialArray Self-Refresh）局部Bank刷新的功能，可以说针对整个存储器Bank做更有效的数据读写以达到省电功效；
8、DDR3的参考电压分成两个，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效低提高系统数据总线的信噪等级；
9、点对点连接（point-to-point,p2p），这是为了提高系统性能而进行的重要改动。
笔记本内存条DDR2和DDR3有什么区别,求高人指点。
一、工艺不同
1、DDR2：DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
2、DDR3：采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。
二、性能不同
1、DDR2：到CPU的前端总线（FSB）接口，到GPU的图形总线接口，外设I/O总线和主存储器总线。为使系统性能最优化，FSB、图形总线和主存储器总线应该各自工作在大致相当的带宽上。
2、DDR3：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
三、封装不同
1、DDR2：标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于广泛应用的TSOP/TSOP-Ⅱ封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性。
2、DDR3：在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装。必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
参考资料来源：百度百科-DDR3
参考资料来源：百度百科-DDR2
