DELL存储器和服务器有什么区别
您好
最大的区别就是：服务器内存有数据校验和纠错功能，而普通内存没有。
memory是用来存储程序和数据的部件，通过使用内存，计算机才有了记忆功能。memory种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器。
主存储器又称内存储器（简称内存），辅助存储器又称外存储器（简称外存）。外存通常是磁性介质或光盘，像硬盘,软盘,磁带,cd等能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息,但是由机械部件带动,速度与cpu相比就显得慢的多。内存指的就是主板上的存储部件，是cpu直接与之沟通，并对其存储数据的部件，存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序，它的物理实质就是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路。
1.内存的分类
主存的分类：主存有许多不同的类别（见图4.1）。按照存储信息的功能，内存可分为ram（随机存取存储器）和rom（只读存储器）。根据信息的可修改性难易，rom也可分为mask rom，prom，flash memory等。现在计算机的发展速度相当快,主板厂商也需经常升级bios,所以用flash memory存储bios程序就成为首选, ram即是我们通常所说的内存。 ram的分类 ram主要用来存放各种输入、输出数据，中间计算结果，以及与外部存储器交换信息和作堆栈用。它的存储单元根据具体需要可以读出，也可以写入或改写。由于ram由电子器件组成，所以只能用于暂时存放程序和数据，一旦关闭电源或发生断电，其中的数据就会丢失，故属于易失性元件。
dram的分类：主板上使用的主要内存从以前的dram一直到fpm dram、edo dram、sdram等。 fpm dram即快速页面模式的dram。是一种改良过的dram，一般为30线或72线（simm）的内存。工作原理大致是，如果系统中想要存取的数据刚好是在同一列地址或是同一页（page）内，则内存控制器就不会重复的送出列地址，而只需指定下一个行地址就可以了。 edo dram即扩展数据输出dram。速度比fpm dram快15％~30％。它和fpm dram的构架和运作方式相同，只是缩短了两个数据传送周期之间等待的时间，使在本周期的数据还未完成时即可进行下一周期的传送，以加快cpu数据的处理。 edo dram目前广泛应用于计算机主板上，几乎完全取代了fpm dram，工作电压一般为5v，接口方式为72线（simm），也有168线（dimm）。 bedo dram（burst edo dram），即突发式edo dram。是一种改良式edo dram。它和edo dram不同之处是edo dram一次只传输一组数据，而bedo dram则采用了"突发"方式运作，一次可以传输"一批"数据，一般bedo dram能够将edo dram的性能提高40％左右。由于sdram的出现和流行，使bedo dram的社会需求量降低。 sdram（synchronous dram）即同步dram。目前十分流行的一种内存。工作电压一般为3.3v，其接口多为168线的dimm类型。它最大的特色就是可以与cpu的外部工作时钟同步，和我们的cpu、主板使用相同的工作时钟，如果cpu的外部工作时钟是100mhz，则送至内存上的频率也是100mhz。这样一来将去掉时间上的延迟，可提高内存存取的效率。
2. dram相关知识
*基本工作原理 dram是以逻辑阵列形态的基本储存单位来保持数据的，因此在存取时必须提供一个行地址和一个位地址来确定数据的正确位置。第一步是由列地址信号启动，即ras（row address strobe），当此信号启动时，整列的数据都等待着被输出或输入，接着便是由行地址信号启动，即cas（column address strobe），当行地址信号启动时，便在之前已选中的该列中挑出包含所匹配的行地址数据的基本储存单位，并将该数据输出或输入到数据总线。
*突发模式突发模式访问不同于一般模式访问，能一次传输一批数据。第一次的内存访问通常要4－7个时钟周期，这叫做存储器的反应时间（latency）。如果读取连续的4个内存地址，则对第2，3，4次的内存访问就不必再次的提供地址，可以在1－3个时钟周期内完成，这就是突发模式访问的原理。如果总线宽度为64bit，则一次突发访问可以依次读取256bits的数据，系统的二级缓存被设计成使用256bits的宽度来适应这种访问模式，能够存储一次突发访问中读取的所有数据位。突发模式的系统定时通常表示成简写的形式：x－y－y－y。x代表第一次访问所需的时钟周期的数量，y代表进行随后的访问所需的时钟周期的数量。通常fpm的y值为3，edo的y值为2，而sdram的y值只有1。
*接口类型 simm是single－in line memory module的简写，即单边接触内存模组，其电路板上焊有数目不等的内存ic芯片，即各种dram芯片，此种内存条又分为30个金属引脚（30线）和72线。 dimm是dual in－line memory module的简写，即双边接触内存模组，也就是说这种类型接口内存的插板的两边都有数据接口触片，这种接口模式的内存广泛应用于现在的计算机中，通常为84针，但由于是双边的，所以一共有84×2=168线接触，故而人们经常把这种内存称为168线内存，而把72线的simm类型内存模组直接称为72线内存。 edo dram内存既有72线的，也有168线的，而sdram内存通常为168线的。
3.内存的错误更正功能（ecc） ecc（error check& correct）的功能不但使内存具有数据检查的能力，而且使内存具备了数据错误修正的功能，奇偶校验为系统存储器提供了一位的错误检测能力，但是不能处理多位错误，并且也没有办法纠正错误。它用一个单独的位来为8位数据提供保护。ecc用7位来保护64位，它用一种特殊的算法在这7位中包含了足够的详细信息，所以能够恢复被保护数据中的一个单独位的错误，并且能检测到2，3甚至4位的错误。大多数支持ecc内存的主板实际上是用标准的奇偶校验内存模块来工作在ecc模式。因为64位的奇偶校验内存实际上是72位宽，所以有足够的位数来做ecc。ecc需要特殊的芯片组来支持，芯片组将奇偶校验位组合成ecc所需的7位一组。芯片组一般允许ecc包含一种向操作系统报告所纠正错误的方法，但是并不是所有的操作系统都支持。windows nt和linux会检测这些信息。
另外，ecc将会使系统略微变慢，原因是ecc的算法比较复杂，为了纠正一位的错误需要消耗一定的时间，通常是在每次存储器读时序中增加一个等待状态，结果是整个系统的性能约下降2－3％。但由于这种dram内存在整个系统中较稳定，所以仍被用于局域网络的文件服务器或internet服务器，其价格较贵。
戴尔和EMC存储产品的区别
戴尔和EMC存储的区别：
1、自戴尔收购EMC后，他们整合了存储产品线，相互补充，一些功能重合的产品已下线。
2、EMC存储产品线偏重于中高端存储，主要产品线有UNITY系列、ISILON系列、VMAX系列、POWERMAX系列、ECS系列；戴尔存储偏重于中低端存储产品，主要产品线有MD系列、ME4系列、SC系列、NX系列。
3、合并后戴尔EMC存储的服务都是一样的（一般出厂带三年原厂服务），价位方面EMC产品远高于戴尔存储产品。
戴尔g3加什么内存条
G3用的是第八代酷睿处理器平台，支持的内存是DDR4接口，默认频率应该是2666MHz。
戴尔g3的内存条为4G/8G/16G DDR4 2666MHz的内存条，戴尔g3最大可支持扩展至32G内存的笔记本电脑。所以戴尔g3可以选择16GDDR4 2666MHz的内存条。
戴尔全新G3游戏本搭载英特尔第八代处理器，内存选择2666Mhz是没有任何问题的。4G的内存如果不够用，可以选用8G、16G这些大容量内存的。只要扩展内存小于32G都是可以使用的。
扩展资料：
RAM由存储矩阵、地址译码器、读/写控制器、输入/输出、片选控制等几部分组成。
（1）存储矩阵。如图所示，RAM的核心部分是一个寄存器矩阵，用来存储信息，称为存储矩阵。
（2）地址译码器。地址译码器的作用是将寄存器地址所对应的二进制数译成有效的行选信号和列选信号，从而选中该存储单元。
（3）读/写控制器。访问RAM时，对被选中的寄存器进行读操作还是进行写操作，是通过读写信号来进行控制的。读操作时，被选中单元的数据经数据线、输入/输出线传送给CPU（中央处理单元）；写操作时，CPU将数据经输入/输_线、数据线存入被选中单元。
（4）输入/输出。RAM通过输入/输_端与计算机的CPU交换数据，读出时它是输_端，写入时它是输入端，一线两用。由读/写控制线控制。输入/输出端数据线的条数，与一个地址中所对应的寄存器位数相同，也有的RAM芯片的输入/输出端是分开的。通常RAM的输出端都具有集电极开路或三态输出结构。
（5）片选控制。由于受RAM的集成度限制。一台计算机的存储器系统往往由许多RAM组合而成。CPU访问存储器时，一次只能访问RAM中的某一片（或几片），即存储器中只有一片（或几片）RAM中的一个地址接受CPU访问，与其交换信息，而其他片RAM与CPU不发生联系，片选就是用来实现这种控制的。
通常一片RAM有一根或几根片选线，当某一片的片选线接入有效电平时，该片被选中，地址译码器的输出信号控制该片某个地址的寄存器与CPU接通；当片选线接入无效电平时，则该片与CPU之间处于断开状态。
